文献
J-GLOBAL ID:201102258086441311
整理番号:11A0401301
フルオロカーボンに基づくプラズマ中の誘電体エッチング後の金属ハードマスク上の残留物成長 II 対策
Residue growth on metallic hard mask after dielectric etching in fluorocarbon based plasmas. II. Solutions
著者 (9件):
POSSEME N.
(CEA-LETI-Minatec, 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 09, FRA)
,
BOUYSSOU R.
(LTM-CNRS/UJF/INPG (CEA-LETI-MINATEC), 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 09, FRA)
,
CHEVOLLEAU T.
(LTM-CNRS/UJF/INPG (CEA-LETI-MINATEC), 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 09, FRA)
,
DAVID T.
(CEA-LETI-Minatec, 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 09, FRA)
,
ARNAL V.
(Central R&D, STMicroelectronics, 850 Rue J. Monnet, 38926 Crolles Cedex, FRA)
,
DARNON M.
(LTM-CNRS/UJF/INPG (CEA-LETI-MINATEC), 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 09, FRA)
,
BRUN Ph.
(CEA-LETI-Minatec, 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 09, FRA)
,
VEROVE C.
(Central R&D, STMicroelectronics, 850 Rue J. Monnet, 38926 Crolles Cedex, FRA)
,
JOUBERT O.
(LTM-CNRS/UJF/INPG (CEA-LETI-MINATEC), 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 09, FRA)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻:
29
号:
1
ページ:
011018
発行年:
2011年01月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
2166-2746
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)