文献
J-GLOBAL ID:201102258522568454
整理番号:11A0890730
有機金属気相エピタキシャル法により作製されたEu添加GaN赤色発光ダイオードの室温動作
Room-Temperature Operation of Red Light-emitting Diodes with Europium-Doped Gallium Nitride Grown by Organometallic Vapor Phase Epitaxy
著者 (3件):
FUJIWARA Yasufumi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
NISHIKAWA Atsushi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TERAI Yoshikazu
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
蛍光体同学会講演予稿
(蛍光体同学会講演会予稿)
巻:
335th
ページ:
19-24
発行年:
2010年
JST資料番号:
L2536A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)