文献
J-GLOBAL ID:201102258822235279
整理番号:11A0190329
a-SiNxの界面層と電気的性質への熱アニーリングの影響:H/Si
Impact of thermal annealing on interfacial layer and electrical properties of a-SiNx: H/Si
著者 (5件):
SINGH Sarab Preet
(IIT Delhi, New Delhi, IND)
,
PRAKASH G. Vijaya
(IIT Delhi, New Delhi, IND)
,
GHOSH S.
(IIT Delhi, New Delhi, IND)
,
RAI Sanjay
(Raja Ramanna Centre for Advanced Technol., Indore, IND)
,
SRIVASTAVA P.
(IIT Delhi, New Delhi, IND)
資料名:
EPL
(EPL)
巻:
90
号:
2
ページ:
26002.P1-26002.P6
発行年:
2010年04月
JST資料番号:
D0701B
ISSN:
0295-5075
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)