文献
J-GLOBAL ID:201102260512277014
整理番号:11A0926758
28nm以細の相補型金属酸化膜半導体技術用の交差架橋Kelvin抵抗器による珪化物比接触抵抗の正確な測定
Accurate Measurement of Silicide Specific Contact Resistivity by Cross Bridge Kelvin Resistor for 28 nm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Technology and Beyond
著者 (3件):
OHUCHI Kazuya
(Toshiba America Electronic Components, Inc., NY, USA)
,
KUSUNOKI Naoki
(Toshiba America Electronic Components, Inc., NY, USA)
,
MATSUOKA Fumitomo
(Toshiba America Electronic Components, Inc., NY, USA)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
50
号:
4,Issue 2
ページ:
04DA03.1-04DA03.6
発行年:
2011年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)