文献
J-GLOBAL ID:201102262809087470
整理番号:11A0143247
高周波マグネトロンスパッタリングにより成長させたNiO薄膜の抵抗スイッチング特性に及ぼす周囲気体圧力の効果
Effects of Ambient Gas Pressure on the Resistance Switching Properties of the NiO Thin Films Grown by Radio Frequency Magnetron Sputtering
著者 (9件):
SEONG Tae-Geun
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Jin-Seong
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
CHO Kyung-Hoon
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
YANG Min Kyu
(Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR)
,
KIM Woong
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Jeon-Kook
(Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR)
,
MOON Ji Won
(Hynix Semiconductor Inc., Kyunggi-do, KOR)
,
ROH Jaesung
(Hynix Semiconductor Inc., Kyunggi-do, KOR)
,
NAHM Sahm
(Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
49
号:
12
ページ:
121103.1-121103.4
発行年:
2010年12月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)