文献
J-GLOBAL ID:201102263597969296
整理番号:11A0637856
持続可能な強相関(Fe,Zn)3O4酸化物半導体ベース強誘電電界効果トランジスタの作製とその電気輸送特性
Preparation of ferroelectric field effect transistor based on sustainable strongly correlated (Fe,Zn)3O4 oxide semiconductor and their electrical transport properties
著者 (4件):
TAKAOBUSHI Junichi
(The Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka, 567-0047, JPN)
,
KANKI Teruo
(The Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka, 567-0047, JPN)
,
KAWAI Tomoji
(The Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka, 567-0047, JPN)
,
TANAKA Hidekazu
(The Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka, 567-0047, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
98
号:
10
ページ:
102506
発行年:
2011年03月07日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)