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文献
J-GLOBAL ID:201102263597969296   整理番号:11A0637856

持続可能な強相関(Fe,Zn)3O4酸化物半導体ベース強誘電電界効果トランジスタの作製とその電気輸送特性

Preparation of ferroelectric field effect transistor based on sustainable strongly correlated (Fe,Zn)3O4 oxide semiconductor and their electrical transport properties
著者 (4件):
TAKAOBUSHI Junichi
(The Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka, 567-0047, JPN)
KANKI Teruo
(The Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka, 567-0047, JPN)
KAWAI Tomoji
(The Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka, 567-0047, JPN)
TANAKA Hidekazu
(The Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka, 567-0047, JPN)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 98  号: 10  ページ: 102506  発行年: 2011年03月07日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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