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文献
J-GLOBAL ID：201102264749235249
整理番号：11A1499012
大きな温度差の下におけるSb-およびAl-添加n型Mg2Siデバイスの熱電的挙動
Thermoelectric Behavior of Sb- and Al-Doped n-Type Mg2Si Device Under Large Temperature Differences
SAKAMOTO Tatsuya
(Tokyo Univ. of Sci., Dep. of Materials Sci. and Technol., 2641 Yamazaki, Noda-shi, 278-8510, Chiba, JPN)
,
IIDA Tsutomu
(Tokyo Univ. of Sci., Dep. of Materials Sci. and Technol., 2641 Yamazaki, Noda-shi, 278-8510, Chiba, JPN)
,
KUROSAKI Shota
(Tokyo Univ. of Sci., Dep. of Materials Sci. and Technol., 2641 Yamazaki, Noda-shi, 278-8510, Chiba, JPN)
,
YANO Kenji
(Tokyo Univ. of Sci., Dep. of Materials Sci. and Technol., 2641 Yamazaki, Noda-shi, 278-8510, Chiba, JPN)
,
TAGUCHI Hirohisa
(Tokyo Univ. of Sci., Dep. of Materials Sci. and Technol., 2641 Yamazaki, Noda-shi, 278-8510, Chiba, JPN)
,
NISHIO Keishi
(Tokyo Univ. of Sci., Dep. of Materials Sci. and Technol., 2641 Yamazaki, Noda-shi, 278-8510, Chiba, JPN)
,
TAKANASHI Yoshifumi
(Tokyo Univ. of Sci., Dep. of Materials Sci. and Technol., 2641 Yamazaki, Noda-shi, 278-8510, Chiba, JPN)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 40 号： 5 ページ： 629-634 発行年： 2011年05月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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