文献
J-GLOBAL ID:201102264753826707
整理番号:11A1180096
600V級トレンチ充填超接合パワーMOSFETへの垂直電荷不平衡効果
Vertical Charge Imbalance Effect on 600V-class Trench-Filling Superjunction Power MOSFETs
著者 (9件):
TAMAKI T.
(Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN)
,
NAKAZAWA Y.
(Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN)
,
KANAI H.
(Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN)
,
ABIKO Y.
(Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN)
,
IKEGAMI Y.
(Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN)
,
ISHIKAWA M.
(Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN)
,
WAKIMOTO E.
(Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN)
,
YASUDA T.
(Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN)
,
EGUCHI S.
(Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
23rd
ページ:
308-311
発行年:
2011年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)