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文献
J-GLOBAL ID：201102265545096297
整理番号：11A1074477
4H-SiC(0001)表面の触媒関連エッチングにおける原子ステップ密度に対する処理特性の依存性
Dependence of Process Characteristics on Atomic-Step Density in Catalyst-Referred Etching of 4H-SiC(0001) Surface
OKAMOTO Takeshi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SANO Yasuhisa
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TACHIBANA Kazuma
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ARIMA Kenta
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HATTORI Azusa N.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
YAGI Keita
(Ebara Corp., Kanagawa, JPN)
,
MURATA Junji
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SADAKUNI Shun
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
YAMAUCHI Kazuto
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 11 号： 4 ページ： 2928-2930 発行年： 2011年04月
JST資料番号： W1351A ISSN： 1533-4880 CODEN： JNNOAR 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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