文献
J-GLOBAL ID:201102267045593408
整理番号:11A0122870
トンネル注入In0.25Ga0.75N/GaN量子ドット発光ダイオード
Tunnel injection In0.25Ga0.75N/GaN quantum dot light-emitting diodes
著者 (3件):
BHATTACHARYA Pallab
(Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Center for Nanoscale Photonics and Spintronics, Univ. of Michigan ...)
,
ZHANG Meng
(Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Center for Nanoscale Photonics and Spintronics, Univ. of Michigan ...)
,
HINCKLEY John
(Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Center for Nanoscale Photonics and Spintronics, Univ. of Michigan ...)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
97
号:
25
ページ:
251107
発行年:
2010年12月20日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)