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文献
J-GLOBAL ID：201102268904198059
整理番号：11A1223863
高温でアニールしたp型のAl注入4H-SiC上に形成した合金化Ti/Al/Ohm接触の構造及び輸送特性
Structural and transport properties in alloyed Ti/Al Ohmic contacts formed on p-type Al-implanted 4H-SiC annealed at high temperature
FRAZZETTO A
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, IMM, CNR, Catania, ITA)
,
FRAZZETTO A
(Universita degli Studi di Catania, Catania, ITA)
,
GIANNAZZO F
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, IMM, CNR, Catania, ITA)
,
LO NIGRO R
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, IMM, CNR, Catania, ITA)
,
RAINERI V
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, IMM, CNR, Catania, ITA)
,
ROCCAFORTE F
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, IMM, CNR, Catania, ITA)
資料名：
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 44 号： 25 ページ： 255302,1-9 発行年： 2011年06月29日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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