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文献
J-GLOBAL ID:201102268904198059   整理番号:11A1223863

高温でアニールしたp型のAl注入4H-SiC上に形成した合金化Ti/Al/Ohm接触の構造及び輸送特性

Structural and transport properties in alloyed Ti/Al Ohmic contacts formed on p-type Al-implanted 4H-SiC annealed at high temperature
著者 (6件):
FRAZZETTO A
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, IMM, CNR, Catania, ITA)
FRAZZETTO A
(Universita degli Studi di Catania, Catania, ITA)
GIANNAZZO F
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, IMM, CNR, Catania, ITA)
LO NIGRO R
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, IMM, CNR, Catania, ITA)
RAINERI V
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, IMM, CNR, Catania, ITA)
ROCCAFORTE F
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, IMM, CNR, Catania, ITA)

資料名:
Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)

巻: 44  号: 25  ページ: 255302,1-9  発行年: 2011年06月29日 
JST資料番号: B0092B  ISSN: 0022-3727  CODEN: JPAPBE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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