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文献
J-GLOBAL ID：201102269198218960
整理番号：11A0798077
擬似多階調リサーフ構造を適用した3.3kV級SiC-SBDの耐圧特性
川上剛史
(新材料パワー半導体研究開発セ)
,
川上剛史
(三菱電機 先端技総研)
,
中木義幸
(三菱電機 先端技総研)
,
藤井善夫
(三菱電機 先端技総研)
,
中田修平
(新材料パワー半導体研究開発セ)
,
中田修平
(三菱電機 先端技総研)
,
今泉昌之
(三菱電機 先端技総研)
,
炭谷博昭
(三菱電機 先端技総研)
,
大森達夫
(新材料パワー半導体研究開発セ)
,
大森達夫
(三菱電機 パワーデバイス製作所)
資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th ページ： ROMBUNNO.25P-BL-16 発行年： 2011年03月09日
JST資料番号： Y0054B 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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