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文献
J-GLOBAL ID：201102269206946015
整理番号：11A1437267
p型Ge/Ge1-xSixから成る量子井戸ヘテロ構造における不純物光伝導の緩和
Relaxation of the impurity photoconductivity in p-Ge/Ge1-xSix quantum well heterostructures
MOROZOV S V
(Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
GAVRILENKO L V
(Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
EROFEEVA I V
(Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
ANTONOV A V
(Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
MAREMYANIN K V
(Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
YABLONSKIY A N
(Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
KURITSIN D I
(Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
ORLOVA E E
(Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
,
GAVRILENKO V I
(Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 26 号： 8 ページ： 085009,1-6 発行年： 2011年08月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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