文献
J-GLOBAL ID:201102269280055815
整理番号:11A0467217
3値状態トランスファ傾斜とバリスティック電界効果振舞いを有する2チャネルトランジスタ(DCT)における積み重ね電界効果トランジスタ集積
Stacked field effect transistor integration in double channel transistors (DCT) with tri-state transfer slope and ballistic field effect behavior
著者 (1件):
WIRBELEIT F.
(GLOBALFOUNDRIES, NY, USA)
資料名:
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻:
87
号:
12
ページ:
2456-2462
発行年:
2010年
JST資料番号:
C0406B
ISSN:
0167-9317
CODEN:
MIENEF
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)