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文献
J-GLOBAL ID：201102269526737740
整理番号：11A1681968
SiO2基板上のInGaZnO4のエキシマレーザ結晶化
Excimer laser crystallization of InGaZnO4 on SiO2 substrate
CHEN Tao
(Delft Univ. of Technol., Lab. of Electronic Components, Technol. and Materials (ECTM), Delft Inst. of Microsystems ...)
,
WU Meng-Yue
(Delft Univ. of Technol., Lab. of Electronic Components, Technol. and Materials (ECTM), Delft Inst. of Microsystems ...)
,
WU Meng-Yue
(Delft Univ. of Technol., Kavli Inst. of Nanoscience, Lorentzweg 1, 2628 CJ, Delft, NLD)
,
ISHIHARA Ryoichi
(Delft Univ. of Technol., Lab. of Electronic Components, Technol. and Materials (ECTM), Delft Inst. of Microsystems ...)
,
NOMURA Kenji
(Delft Univ. of Technol., Lab. of Electronic Components, Technol. and Materials (ECTM), Delft Inst. of Microsystems ...)
,
NOMURA Kenji
(Tokyo Inst. of Technol., Materials and Structures Lab., 4259 Nagatsuta, Midori, 226-8503, Yokohama, JPN)
,
KAMIYA Toshio
(Delft Univ. of Technol., Lab. of Electronic Components, Technol. and Materials (ECTM), Delft Inst. of Microsystems ...)
,
KAMIYA Toshio
(Tokyo Inst. of Technol., Materials and Structures Lab., 4259 Nagatsuta, Midori, 226-8503, Yokohama, JPN)
,
HOSONO Hideo
(Delft Univ. of Technol., Lab. of Electronic Components, Technol. and Materials (ECTM), Delft Inst. of Microsystems ...)
,
HOSONO Hideo
(Tokyo Inst. of Technol., Materials and Structures Lab., 4259 Nagatsuta, Midori, 226-8503, Yokohama, JPN)
,
M BEENAKKER C. I.
(Delft Univ. of Technol., Lab. of Electronic Components, Technol. and Materials (ECTM), Delft Inst. of Microsystems ...)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 22 号： 11 ページ： 1694-1696 発行年： 2011年11月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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