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文献
J-GLOBAL ID：201102269685705892
整理番号：11A0401218
TaN-HfO2-InP MOSFETの特性に関するSF6プラズマ処理のインパクト
Impact of SF6 plasma treatment on performance of TaN-HfO2-InP metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
WANG Yanzhen
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...)
,
CHEN Yen-ting
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...)
,
ZHAO Han
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...)
,
XUE Fei
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...)
,
ZHOU Fei
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...)
,
LEE Jack C.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 98 号： 4 ページ： 043506 発行年： 2011年01月24日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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