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文献
J-GLOBAL ID：201102270087497639
整理番号：11A1159829
サブnW消費電力を有する共振基板FinFET
Resonant-Body Fin-FETs with sub-nW power consumption
BARTSCH Sebastian T.
(Ecole Polytechnique Federal de Lausanne(EPFL), Lausanne, CHE)
,
GROGG Daniel
(Ecole Polytechnique Federal de Lausanne(EPFL), Lausanne, CHE)
,
LOVERA Andrea
(Ecole Polytechnique Federal de Lausanne(EPFL), Lausanne, CHE)
,
TSAMADOS Dimitrios
(Ecole Polytechnique Federal de Lausanne(EPFL), Lausanne, CHE)
,
AYOEZ Suat
(Ecole Polytechnique Federal de Lausanne(EPFL), Lausanne, CHE)
,
IONESCU Adrian M.
(Ecole Polytechnique Federal de Lausanne(EPFL), Lausanne, CHE)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010 ページ： 174-177 発行年： 2010年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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