文献
J-GLOBAL ID:201102270303755532
整理番号:11A1159807
パーコレーションと進行性破壊を含むゲート誘電積層の破壊統計のモデリング
Modeling the breakdown statistics of gate dielectric stacks including percolation and progressive breakdown
著者 (3件):
SUNE J.
(Universitat Autonoma de Barcelona, Bellaterra, ESP)
,
WU E.Y.
(IBM, VT, USA)
,
TOUS S.
(Universitat Autonoma de Barcelona, Bellaterra, ESP)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2010
ページ:
86-89
発行年:
2010年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)