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文献
J-GLOBAL ID：201102271528069952
整理番号：11A1703359
GaN膜におけるGa空孔誘起室温強磁性挙動の実験的証拠
Experimental evidence of Ga-vacancy induced room temperature ferromagnetic behavior in GaN films
ROUL Basanta
(Materials Res. Centre, Indian Inst. of Sci., Bangalore 560012, IND)
,
RAJPALKE Mohana K.
(Materials Res. Centre, Indian Inst. of Sci., Bangalore 560012, IND)
,
BHAT Thirumaleshwara N.
(Materials Res. Centre, Indian Inst. of Sci., Bangalore 560012, IND)
,
KUMAR Mahesh
(Materials Res. Centre, Indian Inst. of Sci., Bangalore 560012, IND)
,
KALGHATGI A. T.
(Central Res. Lab., Bharat Electronics, Bangalore 560013, IND)
,
KRUPANIDHI S. B.
(Materials Res. Centre, Indian Inst. of Sci., Bangalore 560012, IND)
,
KUMAR Nitesh
(Chemistry and Physics of Materials Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Jakkur P. O. ...)
,
SUNDARESAN A.
(Chemistry and Physics of Materials Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Jakkur P. O. ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 99 号： 16 ページ： 162512 発行年： 2011年10月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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