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文献
J-GLOBAL ID：201102272411221547
整理番号：11A0143317
AlN基板上の高濃度アルミニウム組成を持つAlGaNチャンネル高電子移動度トランジスタ
High Al Composition AlGaN-Channel High-Electron-Mobility Transistor on AlN Substrate
TOKUDA Hirokuni
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
HATANO Maiko
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
YAFUNE Norimasa
(Sharp Corp., Nara, JPN)
,
HASHIMOTO Shin
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
,
AKITA Katsushi
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
,
YAMAMOTO Yoshiyuki
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
,
KUZUHARA Masaaki
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 3 号： 12 ページ： 121003.1-121003.3 発行年： 2010年12月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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