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文献
J-GLOBAL ID：201102272699197700
整理番号：11A0543708
高精度拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたSRAM不良ビットの直接観察及びメカニズム解明
Direct Visualization of Anomalous-Phosphorus Diffusion in Failure-Bit Gates of SRAM-Load pMOSFETs With High-Resolution Scanning Spreading Resistance Microscopy
ZHANG Li
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
HARA Keiryo
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
KINOSHITA Atsuhiro
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
HASHIMOTO Tsuneyuki
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
HAYASE Youhei
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
KURIHARA Michio
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
HAGISHIMA Daisuke
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
ISHIKAWA Takayuki
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
TAKENO Shiro
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110 号： 406(SDM2010 204-215) ページ： 29-33 発行年： 2011年01月24日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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