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文献
J-GLOBAL ID：201102272862401930
整理番号：11A0109004
金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたhigh-κ/metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解
Comprehensive Understanding of Oxygen Vacancy Induced Effective Work Function Modulation in High-κ/Metal Gate Stacks
細井卓治
(大阪大 大学院工学研究科)
,
佐伯雅之
(大阪大 大学院工学研究科)
,
喜多祐起
(大阪大 大学院工学研究科)
,
奥雄大
(大阪大 大学院工学研究科)
,
有村拓晃
(大阪大 大学院工学研究科)
,
北野尚武
(大阪大 大学院工学研究科)
,
白石賢二
(筑波大 大学院数理物質科学研究科)
,
山田啓作
(筑波大 大学院数理物質科学研究科)
,
志村考功
(大阪大 大学院工学研究科)
,
渡部平司
(大阪大 大学院工学研究科)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110 号： 274(SDM2010 171-184) ページ： 23-28 発行年： 2010年11月04日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 文献レビュー 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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