文献
J-GLOBAL ID:201102274531363747
整理番号:11A0500210
Ge凝縮法により作製した(110)配向ゲルマニウム・オン・インシュレータp型金属酸化物半導体型電界効果トランジスタの正孔移動度のチャンネル方向,有効電場,温度依存性
Channel direction, effective field, and temperature dependencies of hole mobility in (110)-oriented Ge-on-insulator p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors fabricated by Ge condensation technique
著者 (5件):
DISSANAYAKE Sanjeewa
(The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
ZHAO Yi
(The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
SUGAHARA S.
(Tokyo Inst. of Technol., Nagatsuta, Kanagawa 226 8503, JPN)
,
TAKENAKA Mitsuru
(The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
TAKAGI Shinichi
(The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
109
号:
3
ページ:
033709
発行年:
2011年02月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)