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文献
J-GLOBAL ID：201102275139096281
整理番号：11A1568593
Ni-InGaAs金属S/DとMOS界面バッファー技術を用いたSi基板上高性能極薄基板III-V-オン-絶縁膜MOSFET
High performance Extremely-thin Body III-V-On-Insulator MOSFETs on a Si substrate with Ni-InGaAs metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering
KIM S. H.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
YOKOYAMA M.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAOKA N.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
IIDA R.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
LEE S.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NAKANE R.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
URABE Y.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MIYATA N.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YASUDA T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YAMADA H.
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN)
,
FUKUHARA N.
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN)
,
HATA M.
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN)
,
TAKENAKA M.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKAGI S.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2011 ページ： 58-59 発行年： 2011年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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