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文献
J-GLOBAL ID：201102276572673729
整理番号：11A0826102
InP(001)上のGaSbの分子ビームエピタキシャル成長とその場堆積Al2O3ゲート酸化物による不動態化
GaSb molecular beam epitaxial growth on p-InP(001) and passivation with in situ deposited Al2O3 gate oxide
MERCKLING C.
(Interuniversity Microelectronics Center (IMEC vzw), Kapeldreef 75, 3001, Leuven, BEL)
,
SUN X.
(Katholieke Universiteit Leuven, Celestijnelaan 200D, 3001, Leuven, BEL)
,
ALIAN A.
(Interuniversity Microelectronics Center (IMEC vzw), Kapeldreef 75, 3001, Leuven, BEL)
,
BRAMMERTZ G.
(Interuniversity Microelectronics Center (IMEC vzw), Kapeldreef 75, 3001, Leuven, BEL)
,
AFANAS’EV V. V.
(Katholieke Universiteit Leuven, Celestijnelaan 200D, 3001, Leuven, BEL)
,
HOFFMANN T. Y.
(Interuniversity Microelectronics Center (IMEC vzw), Kapeldreef 75, 3001, Leuven, BEL)
,
HEYNS M.
(Interuniversity Microelectronics Center (IMEC vzw), Kapeldreef 75, 3001, Leuven, BEL)
,
CAYMAX M.
(Interuniversity Microelectronics Center (IMEC vzw), Kapeldreef 75, 3001, Leuven, BEL)
,
DEKOSTER J.
(Interuniversity Microelectronics Center (IMEC vzw), Kapeldreef 75, 3001, Leuven, BEL)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 109 号： 7 ページ： 073719 発行年： 2011年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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