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文献
J-GLOBAL ID：201102277029253309
整理番号：11A1702919
室温におけるAu/Biドープのポリビニルアルコール(PVA)/n-SiSchottky障壁ダイオードにおける直列抵抗や界面状態のI-V,C-V,およびG/ω-V特性への効果
Effect of series resistance and interface states on the I-V, C-V and G/ω-V characteristics in Au/Bi-doped polyvinyl alcohol (PVA)/n-Si Schottky barrier diodes at room temperature
DEMIREZEN S.
(Dep. of Physics, Fac. of Arts and Sciences, Gazi Univ., 06500 Ankara, TUR)
,
SOENMEZ Z.
(Dep. of Physics, Fac. of Arts and Sciences, Gazi Univ., 06500 Ankara, TUR)
,
AYDEMIR U.
(Dep. of Physics, Fac. of Arts and Sciences, Gazi Univ., 06500 Ankara, TUR)
,
ALTINDAL S.
(Dep. of Physics, Fac. of Arts and Sciences, Gazi Univ., 06500 Ankara, TUR)
資料名：
Current Applied Physics
(Current Applied Physics)
巻： 12 号： 1 ページ： 266-272 発行年： 2012年01月
JST資料番号： W1579A ISSN： 1567-1739 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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