文献
J-GLOBAL ID:201102277873149843
整理番号:11A0859961
ナノ結晶シリコンを基本とするメモリ素子における書込み/消去の繰り返し操作の過程におけるトラップ発生の解析
Analysis of trap generation during programming/erasing cycling in silicon nanocrystal memory devices
著者 (7件):
YANG Xiaonan
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WANG Yong
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
ZHAN Manhong
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
HUO Zongliang
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WANG Qin
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LONG Shibing
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LIU Ming
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
26
号:
4
ページ:
045011,1-6
発行年:
2011年04月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)