文献
J-GLOBAL ID:201102280102147165
整理番号:11A1063447
絶縁体上の非晶質Geの低温(~250°C)での銅誘起横方向結晶化
Low-Temperature (~250°C) Cu-Induced Lateral Crystallization of Amorphous Ge on Insulator
著者 (7件):
SADOH Taizoh
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
KUROSAWA Masashi
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
KUROSAWA Masashi
(JSPS, Tokyo, JPN)
,
HAGIHARA Takashi
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
TOKO Kaoru
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
TOKO Kaoru
(JSPS, Tokyo, JPN)
,
MIYAO Masanobu
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名:
Electrochemical and Solid-State Letters
(Electrochemical and Solid-State Letters)
巻:
14
号:
7
ページ:
H274-H276
発行年:
2011年
JST資料番号:
W1290A
ISSN:
1099-0062
CODEN:
ESLEF6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)