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文献
J-GLOBAL ID：201102280364509815
整理番号：11A0131913
シンクロトロン放射光電子放出分光で調べたTiN/HfSiONゲートスタック構造の熱安定性
Thermal stability of TiN/HfSiON gate stack structures studied by synchrotron-radiation photoemission spectroscopy
TOYODA S.
(Dep. of Applied Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
KAMADA H.
(Dep. of Applied Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
KUMIGASHIRA H.
(Dep. of Applied Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
OSHIMA M.
(Dep. of Applied Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
IWAMOTO K.
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kohoku-ku, Kanagawa 222-0033, JPN)
,
SUKEGAWA T.
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kohoku-ku, Kanagawa 222-0033, JPN)
,
LIU Z.
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kohoku-ku, Kanagawa 222-0033, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 97 号： 26 ページ： 262903 発行年： 2010年12月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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