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文献
J-GLOBAL ID：201102281353501886
整理番号：11A0401362
原子層堆積によって成長させたSrTiO3ベースの金属-絶縁体-金属コンデンサの電気的特性への前駆体化学と成長温度との影響
Influence of precursor chemistry and growth temperature on the electrical properties of SrTiO3-based metal-insulator-metal capacitors grown by atomic layer deposition
GARCIA H.
(Departamento de Electricidad y Electronica, E.T.S.I. Telecomunicacion, Univ. of Valladolid, 47011 Valladolid, ESP)
,
CASTAN H.
(Departamento de Electricidad y Electronica, E.T.S.I. Telecomunicacion, Univ. of Valladolid, 47011 Valladolid, ESP)
,
GOMEZ A.
(Departamento de Electricidad y Electronica, E.T.S.I. Telecomunicacion, Univ. of Valladolid, 47011 Valladolid, ESP)
,
DUENAS S.
(Departamento de Electricidad y Electronica, E.T.S.I. Telecomunicacion, Univ. of Valladolid, 47011 Valladolid, ESP)
,
BAILON L.
(Departamento de Electricidad y Electronica, E.T.S.I. Telecomunicacion, Univ. of Valladolid, 47011 Valladolid, ESP)
,
KUKLI K.
(Dep. of Chemistry, Univ. of Helsinki, P.O. Box 55, FIN-00014 Helsinki, FIN)
,
KARINIEMI M.
(Dep. of Chemistry, Univ. of Helsinki, P.O. Box 55, FIN-00014 Helsinki, FIN)
,
KEMELL M.
(Dep. of Chemistry, Univ. of Helsinki, P.O. Box 55, FIN-00014 Helsinki, FIN)
,
NIINISTOE J.
(Dep. of Chemistry, Univ. of Helsinki, P.O. Box 55, FIN-00014 Helsinki, FIN)
,
RITALA M.
(Dep. of Chemistry, Univ. of Helsinki, P.O. Box 55, FIN-00014 Helsinki, FIN)
,
LESKELAE M.
(Dep. of Chemistry, Univ. of Helsinki, P.O. Box 55, FIN-00014 Helsinki, FIN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 29 号： 1 ページ： 01AC04 発行年： 2011年01月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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