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文献
J-GLOBAL ID：201102282051760650
整理番号：11A0666216
電子サイクロトロン共鳴プラズマポスト酸化により作製した低界面捕獲のAl2O3/GeOx/Geゲートスタック
Al2O3/GeOx/Ge gate stacks with low interface trap density fabricated by electron cyclotron resonance plasma postoxidation
ZHANG R.
(School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
IWASAKI T.
(School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
TAOKA N.
(School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
TAKENAKA M.
(School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
TAKAGI S.
(School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 98 号： 11 ページ： 112902 発行年： 2011年03月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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