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文献
J-GLOBAL ID：201102284201459670
整理番号：11A0401361
将来の高kダイナミックランダムアクセスメモリ誘電体の原子スケールエンジニアリング BaHfO3でのTiによる部分的なHf置換の例
Atomic-scale engineering of future high-k dynamic random access memory dielectrics: The example of partial Hf substitution by Ti in BaHfO3
DUDEK P.
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU)
,
LUPINA G.
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU)
,
KOZLOWSKI G.
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU)
,
ZAUMSEIL P.
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU)
,
BAUER J.
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU)
,
FURSENKO O.
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU)
,
DABROWSKI J.
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU)
,
SCHMIDT R.
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU)
,
LIPPERT G.
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU)
,
MUESSIG H.-j.
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU)
,
SCHROEDER T.
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU)
,
SCHMEISSER D.
(BTU Cottbus, Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, DEU)
,
ZSCHECH E.
(Fraunhofer IZFP, Maria-Reiche-Strasse 2, 01109 Dresden, DEU)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 29 号： 1 ページ： 01AC03 発行年： 2011年01月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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