文献
J-GLOBAL ID:201102284580573256
整理番号:11A1180048
逆方向阻止IGBT用深部拡散とV形溝を用いた混成分離プロセス
Hybrid Isolation Process with Deep Diffusion and V-Groove for Reverse Blocking IGBTs
著者 (6件):
NAKAZAWA Haruo
(Fuji Electric Holdings Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
OGINO Masaaki
(Fuji Electric Holdings Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
WAKIMOTO Hiroki
(Fuji Electric Holdings Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
NAKAJIMA Tsunehiro
(Fuji Electric Holdings Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
TAKAHASHI Yoshikazu
(Fuji Electric Holdings Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
LU David Hongfei
(Fuji Electric Systems Co., Ltd., Nagano, JPN)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
23rd
ページ:
116-119
発行年:
2011年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)