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文献
J-GLOBAL ID：201102285563300366
整理番号：11A0797412
SOI基板を用いたトンネルFETの作製と評価
森貴洋
(産総研 GNC)
,
安田哲二
(産総研 GNC)
,
福田浩一
(産総研 GNC)
,
大内真一
(産総研 GNC)
,
LIU Yongxun
(産総研 GNC)
,
坂本邦博
(産総研 GNC)
,
昌原明植
(産総研 GNC)
,
太田裕之
(産総研 GNC)
資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th ページ： ROMBUNNO.26P-KD-9 発行年： 2011年03月09日
JST資料番号： Y0054B 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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