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文献
J-GLOBAL ID：201102287160940937
整理番号：11A0571792
高温プロセスに起因するMg-ドープGaNの化学および光ミネセンス特性の変化
Variation of Chemical and Photoluminescence Properties of Mg-Doped GaN Caused by High-Temperature Process
OGAWA Eri
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
HASHIZUME Tamotsu
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
HASHIZUME Tamotsu
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50 号： 2 ページ： 021002.1-021002.6 発行年： 2011年02月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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