文献
J-GLOBAL ID:201102287323354046
整理番号:11A1668804
ミラー電子顕微鏡を用いた4H-SiCエピタキシャル層でのイングロウン(in-grown)積層欠陥の非破壊観察
Non-destructive observation of in-grown stacking faults in 4H-SiC epitaxial layer using mirror electron microscope
著者 (2件):
HASEGAWA Masaki
(Central Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280, Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)
,
OHNO Toshiyuki
(Central Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280, Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
110
号:
7
ページ:
073507
発行年:
2011年10月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)