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文献
J-GLOBAL ID:201102289111892830   整理番号:11A0168743

金ナノ粒子とSiO2-HfO2下部層による不揮発性メモリキャパシタの光学特性

Optical properties of nonvolatile memory capacitors based on gold nanoparticles and SiO2-HfO2 sublayers
著者 (10件):
MIKHELASHVILI V.
(Dep. of Electrical Engineering, The Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR)
MEYLER B.
(Dep. of Electrical Engineering, The Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR)
GARBRECHT M.
(Dep. of Material Engineering, The Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR)
YOFIS S.
(Dep. of Electrical Engineering, The Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR)
SALZMAN J.
(Dep. of Electrical Engineering, The Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR)
COHEN-HYAMS T.
(Dep. of Material Engineering, The Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR)
KAPLAN W. D.
(Dep. of Material Engineering, The Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR)
ROIZIN Y.
(TowerJazz, P.O. Box 619, Migdal Ha’Emek 23105, ISR)
LISIANSKY M.
(TowerJazz, P.O. Box 619, Migdal Ha’Emek 23105, ISR)
EISENSTEIN G.
(Dep. of Electrical Engineering, The Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 98  号:ページ: 022905  発行年: 2011年01月10日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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