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J-GLOBAL ID：201102289215904660 整理番号：11A1791446

追加の不揮発性機能を持つ完全空乏化二重ゲートMSDRAMセル

Fully depleted double-gate MSDRAM cell with additional nonvolatile functionality

著者 (9件)：

PARK Ki-heung

(Inst. of Microelectronics, Electromagnetism and Photonics (UMR 5130), Grenoble Polytechnic Inst., Minatec, B.P. 257 ...)

,

BAWEDIN Maryline

(Inst. of Microelectronics, Electromagnetism and Photonics (UMR 5130), Grenoble Polytechnic Inst., Minatec, B.P. 257 ...)

,

BAWEDIN Maryline

(Inst. of Electronics IES (UMR 5214), Univ. of Montpellier II, 34095 Montpellier Cedex 5, FRA)

,

LEE Jong-ho

(School of EECS Engineering and ISRC (Inter-University Res. Center), Seoul National Univ., Gwanak P.O. Box 34, Seoul ...)

,

BAE Young-ho

(Inst. of Microelectronics, Electromagnetism and Photonics (UMR 5130), Grenoble Polytechnic Inst., Minatec, B.P. 257 ...)

,

BAE Young-ho

(Dep. of Electronics Engineering, Uiduk Univ., Gyeongju 780-713, KOR)

,

NA Kyoung-il

(Inst. of Microelectronics, Electromagnetism and Photonics (UMR 5130), Grenoble Polytechnic Inst., Minatec, B.P. 257 ...)

,

LEE Jung-hee

(School of Electrical Engineering, Kyungpook National Univ., Daegu 702-701, KOR)

,

CRISTOLOVEANU Sorin

(Inst. of Microelectronics, Electromagnetism and Photonics (UMR 5130), Grenoble Polytechnic Inst., Minatec, B.P. 257 ...)

資料名：

Solid-State Electronics (Solid-State Electronics)

巻： 67 号： 1 ページ： 17-22 発行年： 2012年01月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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