文献
J-GLOBAL ID:201102290239843024
整理番号:11A1269876
窒素ラジカル曝露によるp-InP表面の表面状態密度分布の修飾
Modification of Surface State Density Distribution of p-InP Surfaces by Nitrogen Radical Exposure
著者 (2件):
YOSHIDA Toshiyuki
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
,
HASHIZUME Tamotsu
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
50
号:
7,Issue 1
ページ:
070209.1-070209.3
発行年:
2011年07月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)