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文献
J-GLOBAL ID：201102290314955593
整理番号：11A0766278
サブバンド間デバイスのための,950°Cでのパルス注入法によるn-タイプGaN層の作製
Fabrication of n-Type GaN Layers by the Pulse Injection Method at 950°C for Intersubband Devices
YANG Jung-Seung
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SODABANLU Hassanet
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SUGIYAMA Masakazu
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NAKANO Yoshiaki
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SHIMOGAKI Yukihiro
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Electrochemical and Solid-State Letters
(Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 14 号： 4 ページ： H143-H145 発行年： 2011年
JST資料番号： W1290A ISSN： 1099-0062 CODEN： ESLEF6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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