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文献
J-GLOBAL ID：201102291523706866
整理番号：11A0563496
非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタのサブしきい値スイングに及ぼすH2O双極子の影響
Influence of H2O Dipole on Subthreshold Swing of Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin Film Transistors
CHUNG Wan-Fang
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHANG Ting-Chang
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
LI Hung-Wei
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Chi-Wen
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHEN Yu-Chun
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHEN Shih-Ching
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
TSENG Tseung-Yuen
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
TAI Ya-Hsiang
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
Electrochemical and Solid-State Letters
(Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 14 号： 3 ページ： H114-H116 発行年： 2011年
JST資料番号： W1290A ISSN： 1099-0062 CODEN： ESLEF6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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