文献
J-GLOBAL ID:201102292863331170
整理番号:11A1861899
SiC(0001)上でのエピタキシャル結晶質シリコン-酸窒化物層:理想的なSiC-絶縁体界面の形成
The epitaxial crystalline silicon-oxynitride layer on SiC(0001): Formation of an ideal SiC-insulator interface
著者 (2件):
TOCHIHARA Hiroshi
(Fac. of Engineering Sci., Kyushu Univ., Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN)
,
SHIRASAWA Tetsuroh
(Inst. for Solid State Physics, Univ. of Tokyo, Chiba 277-8581, JPN)
資料名:
Progress in Surface Science
(Progress in Surface Science)
巻:
86
号:
11-12
ページ:
295-327
発行年:
2011年12月
JST資料番号:
D0310B
ISSN:
0079-6816
CODEN:
PSSFBP
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)