文献
J-GLOBAL ID:201102292900731974
整理番号:11A1582996
3.3kV級Sic-SBDの開発
著者 (10件):
渡邊寛
(技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構 新材料パワー半導体研究開発セ)
,
中田修平
(技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構 新材料パワー半導体研究開発セ)
,
中木義幸
(三菱電機 先端技総研)
,
藤井善夫
(三菱電機 先端技総研)
,
大塚健一
(三菱電機 先端技総研)
,
川上剛史
(三菱電機 先端技総研)
,
今泉昌之
(三菱電機 先端技総研)
,
豊田吉彦
(技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構 新材料パワー半導体研究開発セ)
,
炭谷博昭
(三菱電機 先端技総研)
,
大森達夫
(技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構 新材料パワー半導体研究開発セ)
資料名:
電気学会産業応用部門大会(CD-ROM)
(Proceedings of the IEE Japan Industry Applications Society Conference (CD-ROM))
巻:
2011
ページ:
ROMBUNNO.1-129
発行年:
2011年09月06日
JST資料番号:
L2177B
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)