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文献
J-GLOBAL ID：201102293819623160
整理番号：11A1568595
スケーラブルTaN金属ソース/ドレイン&ゲートInGaAs/Ge系n/pMOSFET
Scalable TaN Metal Source/Drain & Gate InGaAs/Ge n/pMOSFETs
MAEDA T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
URABE Y.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
ITATANI T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
ISHII H.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MIYATA N.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
YASUDA T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
YAMADA H.
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN)
,
HATA M.
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN)
,
YOKOYAMA M.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKENAKA M.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKAGI S.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2011 ページ： 62-63 発行年： 2011年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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