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文献
J-GLOBAL ID:201102293819623160   整理番号:11A1568595

スケーラブルTaN金属ソース/ドレイン&ゲートInGaAs/Ge系n/pMOSFET

Scalable TaN Metal Source/Drain & Gate InGaAs/Ge n/pMOSFETs
著者 (11件):
MAEDA T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
URABE Y.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
ITATANI T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
ISHII H.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
MIYATA N.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
YASUDA T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
YAMADA H.
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN)
HATA M.
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN)
YOKOYAMA M.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
TAKENAKA M.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
TAKAGI S.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)

巻: 2011  ページ: 62-63  発行年: 2011年 
JST資料番号: A0035B  ISSN: 0743-1562  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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