文献
J-GLOBAL ID:201102294343433348
整理番号:11A0787655
半導体BiFeO3薄膜キャパシタの抵抗記憶
A Resistive Memory in Semiconducting BiFeO3 Thin-Film Capacitors
著者 (9件):
JIANG An Quan
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
WANG Can
(Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
JIN Kui Juan
(Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
LIU Xiao Bing
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
SCOTT James F.
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
HWANG Cheol Seong
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
TANG Ting Ao
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
LU Hui Bin
(Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
YANG Guo Zhen
(Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名:
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻:
23
号:
10
ページ:
1277-1281
発行年:
2011年03月11日
JST資料番号:
W0001A
ISSN:
0935-9648
CODEN:
ADVMEW
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)