前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201102294382096596
整理番号：11A0476768
3C-SiC(111)/AlN(0001)/Si(100)に関するグラフェンエピタキシャル成長
Epitaxial Graphene Growth on 3C-SiC(111)/AlN(0001)/Si(100)
HSIA Benjamin
(Univ. California, California, USA)
,
FERRALIS Nicola
(Univ. California, California, USA)
,
SENESKY Debbie G.
(Univ. California, California, USA)
,
PISANO Albert P.
(Univ. California, California, USA)
,
CARRARO Carlo
(Univ. California, California, USA)
,
MABOUDIAN Roya
(Univ. California, California, USA)
資料名：
Electrochemical and Solid-State Letters
(Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 14 号： 2 ページ： K13-K15 発行年： 2011年
JST資料番号： W1290A ISSN： 1099-0062 CODEN： ESLEF6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。