文献
J-GLOBAL ID:201102294400644580
整理番号:11A1320601
深サブギャップ欠陥の除去により作製した高安定非晶質In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ
Highly stable amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors produced by eliminating deep subgap defects
著者 (3件):
NOMURA Kenji
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Mail Box S2-13, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
,
KAMIYA Toshio
(Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., Mail Box R3-1, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
,
HOSONO Hideo
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Mail Box S2-13, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
99
号:
5
ページ:
053505
発行年:
2011年08月01日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)