文献
J-GLOBAL ID:201102294922116303
整理番号:11A0168747
溝形成Si(1110)基板上のGeナノプリズムにおける相互混合の増強
Enhanced intermixing in Ge nanoprisms on groove-patterned Si(1 1 10) substrates
著者 (7件):
CHEN G.
(Inst. of Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler Univ., Altenbergerstr. 69, A4040 Linz, AUT)
,
VASTOLA G.
(Inst. of High Performance Computing, 1 Fusionopolis Way, No. 16-16 Connexis, Singapore 138632)
,
ZHANG J. J.
(Inst. of Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler Univ., Altenbergerstr. 69, A4040 Linz, AUT)
,
SANDUIJAV B.
(Inst. of Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler Univ., Altenbergerstr. 69, A4040 Linz, AUT)
,
SPRINGHOLZ G.
(Inst. of Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler Univ., Altenbergerstr. 69, A4040 Linz, AUT)
,
JANTSCH W.
(Inst. of Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler Univ., Altenbergerstr. 69, A4040 Linz, AUT)
,
SCHAEFFLER F.
(Inst. of Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler Univ., Altenbergerstr. 69, A4040 Linz, AUT)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
98
号:
2
ページ:
023104
発行年:
2011年01月10日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)