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文献
J-GLOBAL ID：201102295941439926
整理番号：11A1087675
InSb溶融体中へのGaSbの溶解に及ぼす溶質対流の影響とInGaSb溶液中の溶質輸送メカニズム:数値的シミュレーションとin-situ観察実験
Effects of solutal convection on the dissolution of GaSb into InSb melt and solute transport mechanism in InGaSb solution: Numerical simulations and in-situ observation experiments
RAJESH G.
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
,
ARIVANANDHAN M.
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
,
SUZUKI N.
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
,
TANAKA A.
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
,
MORII H.
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
,
AOKI T.
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
,
KOYAMA T.
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
,
MOMOSE Y.
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
,
OZAWA T.
(Dep. of Electrical Engineering, Shizuoka Inst. of Sci. and Technol., 2200-2 Toyozawa, Fukuroi, Shizuoka 437-8555, JPN)
,
INATOMI Y.
(Inst. of Space and Astronautical Sci., Japan Aerospace Exploration Agency, 3-1-1 Yoshinodai, Sagamihara, Kanagawa ...)
,
TAKAGI Y.
(Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN)
,
OKANO Y.
(Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN)
,
HAYAKAWA Y.
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 324 号： 1 ページ： 157-162 発行年： 2011年06月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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