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文献
J-GLOBAL ID：201102296779076896
整理番号：11A0168582
有機金属気相エピタクシーによって成長させたInAlN/GaNから成るヘテロ構造の価電子帯オフセットの測定
Measurement of valence-band offsets of InAlN/GaN heterostructures grown by metal-organic vapor phase epitaxy
AKAZAWA M.
(Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN)
,
GAO B.
(Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN)
,
HASHIZUME T.
(Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN)
,
HIROKI M.
(NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
,
YAMAHATA S.
(NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
,
SHIGEKAWA N.
(NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 109 号： 1 ページ： 013703 発行年： 2011年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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